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加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）的研究人员早已证实LED原子结构特定类型的缺失，造成LED性能减少。研究人员预计，这样的缺失密切相关可能会造成无法生产出更有效地和闪烁更加长久的LED。UCSB的概念插画：GaN的晶格缺失 ChrisVandeWalle带领研究团队积极开展此项工作。
他说道，如果LED材料不存在这种缺失，利用技术可以找到这种缺失。这些技术可以用来提升材料的质量。不是所有建构出来的LED都是一样的。
事实上，很难生产出有性能和特性一模一样的LED。效率是LED最重要的特征。
在原子层面上，LED的性能相当大程度上依赖半导体材料的质量。 VandeWalle说道：“在LED中，从一个侧面流经电子，从另一个侧面流经电洞。”他们穿越半导体的晶格--基于氮化镓的白色LED材料。
然后，电子和电洞（电子缺陷）不会使二极管闪烁。当电子遇上电洞时，它就改变为的电子态，获释光子。 有时，虽然电荷载体遇见，但不闪烁，产生所谓的肖克利读书霍尔（SRH）重组。据研究人员讲解，在遇见但不闪烁的晶格中捕捉缺失的电荷载体，就不会再次发生SRH重组。
研究人员已证实在氧和氢不存在的条件下，镓空位填充缺失。该研究的第一作者CyrusDreyer说道：“这些缺失以前在氮化物半导体仔细观察到过，但直到现在，才明白他们产生的危害影响。” VandeWalle的年出版者AudriusAlkauskas发展了理论框架，用作计算出来捕捉电子和电洞的缺陷率。VandeWalle说道：“这将我们多年指出的缺失点与新的理论结合，构建了突破性研究。
”他们设计的方法限于于将自身于其他缺失区别进，具体SRH填充再次发生的机制。 他说道：“这些镓空位复合物认同不是唯一的危害缺失，现在我们早已寻找方法，我们正在大力调查其他潜在缺失，评估其对非电磁辐射填充的影响。”研究人员详尽地讲解了他们的研究结果将在4月由应用于物理快报公布[APL108，141101（2016）]，并在杂志封面附图。
这项研究由美国能源部科技办公室和欧盟玛丽·斯卡洛多斯卡·居里行动计划资助。
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